您好,欢迎来到深圳市深楠吉科技有限公司

邻家IC现货查看更多

邻家电子元器件查看更多

邻家IC库存查看更多

inven-

tory

推荐IC库存

型号 品牌 数量 批号 封装 说明 PDF资料
CL31A226KOHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL31B475KBHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL31A476MQHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL31B226KPHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL31A476MPHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL31A107MQHNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL32B106KBJNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
CL32B226KAJNNNESAMSUNG/三星168232882025+SMD代理销售SAMSUNG/三星原装现货下载PDF资料
ABOUT

公司简介

深圳市深楠吉科技有限公司——电子元器件领域的创新引领者

深圳市深楠吉科技有限公司成立于2018年,总部位于深圳南山科技园,是一家专注于高性能电子元器件研发、生产与销售的国家高新技术企业。公司以“芯联万物”为愿景,深耕被动元件、功率器件及传感器领域,致力于为全球客户提供高可靠性、高性价比的电子元件解决方案,产品广泛应用于消费电子、工业控制、新能源汽车及5G通信等高端市场。

​核心技术,打造行业标杆

公司依托自主研发的“纳米级薄膜工艺”和“三维堆叠结构”技术,突破传统电子元件性能瓶颈。其高频电感产品采用氧化铁磁芯材料,频率响应达1GHz以上,体积较传统产品缩小40%,已通过JEDEC耐久性测试;氮化铝陶瓷基板功率模块热阻低至1.2K/W,助力客户设备散热效率提升30%。目前,公司累计申请发明专利85项,其中“高精度MEMS压力传感器”获中国专利银奖,产品精度达到±0.5% FS,填补国内高端工业传感器空白。

​全品类布局,满足多元需求

深楠吉科技构建了覆盖电阻、电容、电感、二极管、MOSFET及传感器的完整产品矩阵:

​被动元件:推出10μF/6.3V超薄MLCC,介电常数达10000,适用于5G基站滤波电路;

​功率器件:650V SiC MOSFET模块导通电阻仅4mΩ,效率超过98%,已批量供货比亚迪汉EV车型;

​传感器:MEMS陀螺仪量程±2000dps,噪声密度低至0.1°/s/√Hz,应用于大疆无人机飞行控制系统。

​品质管控,全球信赖

公司严格遵循ISO 9001质量管理体系,产品通过RoHS 2.0、REACH、UL 1434及CE认证。2021年投资建设的万级无尘车间配备全自动贴片生产线,关键工序实现100%AI视觉检测,良品率达99.98%。目前与华为、小米、歌尔声学等头部企业建立战略合作,产品出口至美国、日本及欧洲市场,2022年高端元件营收占比突破75%,同比增长62%。

​创新驱动,赋能产业升级

公司联合清华大学微电子所共建“先进电子材料联合实验室”,重点攻关石墨烯复合电极材料、宽禁带半导体器件等前沿领域。其最新研发的钛酸钡基MLCC电容器耐压达100V,体积比肩国际巨头松下同级产品,成功打破日企垄断。在新能源汽车领域,开发的智能IGBT驱动模块集成温度监控芯片,使电机控制器能效提升15%,助力客户单车续航增加8%。

作为中国电子元件行业国产替代的中坚力量,深楠吉科技将持续加大研发投入,力争在2025年前实现半导体封装基板等5款核心产品国产化率100%,为全球电子产业链提供安全、可靠的“中国芯”选择。

IC芯片推荐:HT1621B HT66F002 HT66F004 HT67F489 HT66F018 BS813A-1 HT7533-1 HT7550-1 AT24C02C-SSHM-T AT24C02C-PUM AT24C04C-PUM AT24C04C-SSHM-T AT24C16C-SSHM-T AT24C16C-PUM AT24C08C-SSHM-T BN154K0333K BN224E0475K BN224G0105K